第一张ppt在volatile读后面加入load屏障，第二张ppt说在读操作前加load屏障，这两张ppt矛盾了吧

Question

Answer 1

Jimin 2019-02-22 10:27:20

你好，get到你的点了，以第一章图画的为准，关于volatile读写的内存屏障为：
在每个volatile写操作的前面插入一个StoreStore屏障。
在每个volatile写操作的后面插入一个StoreLoad屏障。
在每个volatile读操作的后面插入一个LoadLoad屏障。
在每个volatile读操作的后面插入一个LoadStore屏障。

• 提问者 慕神8359304 #1

  好的，谢谢老师